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厚膜氧化硅晶圓

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品牌：KST

特點(diǎn)：最高20um的超厚氧化層

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產(chǎn)品詳情

應(yīng)用

MEMS應(yīng)用
AWG
光柵


參數(shù)

Size

6” 8”

器件層厚度

100nm※～200μm

各層的厚度精度

Thin layer ±15nm Thick layer ±0.5μm

BOX層

Maximum 20μm


型號(hào)

型號(hào)

Size

Device layer thickness

BOX layer thickness（SiO2）

refractivity（@1550nm）

SI0615P01

6inch

1mm±50um

15-20um

1.4458±0.0004

原廠介紹

KST作為日本首家設(shè)計(jì)并加工半導(dǎo)體及光通信用硅晶圓以及膜產(chǎn)品的公司，KST株式會(huì)社依賴領(lǐng)先的熱氧化技術(shù)，該技術(shù)制備的超厚熱氧化膜憑借其優(yōu)異的表面清潔度和穩(wěn)定的薄膜質(zhì)量，在全球市場(chǎng)上占有領(lǐng)先的份額，可以為客戶提供超厚氧化膜的晶圓產(chǎn)品，這些產(chǎn)品能夠幫助客戶開發(fā)新型光通信及MEMS器件，并能夠極大的提升量產(chǎn)良率。

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